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3D XPoint: Intels Stapelspeicher im Hardware-Fokus

Superschnelles Tempo und eine lange Lebensdauer. Was sich wie die Eier legende Wollmilchsau im Speicherbereich anhört, ist kein Hirngespinst, sondern eine neue marktreife Technik.

von NMGZ 13.07.2016 (Letztes Update: 13.07.2016)

Intel und Micron Technology haben mit 3D XPoint eine neue Speichertechnik vorgestellt, die sowohl Arbeits- als auch Massenspeicher ersetzen soll. Bei 3D XPoint sind die Speicherzellen nicht nur flächig angeordnet, sondern auch in der Höhe. Das erlaubt eine ex­trem hohe Datendichte auf engstem Raum. Gleichzeitig verbindet 3D XPoint die positiven Eigenschaften von NAND (ist zum Beispiel in SSDs verbaut) und DRAM: 3D XPoint ist schnell wie DRAM und dabei so günstig und beständig wie NAND.

Bei 3D XPoint sind die Speicherzellen nicht nur flächig angeordnet, sondern auch in der Höhe Bei 3D XPoint sind die Speicherzellen nicht nur flächig angeordnet, sondern auch in der Höhe Zoom© Intel

Ein paar erstaunliche Zahlen

  • 3D XPoint weist eine acht- bis zehnmal höhere Speicherdichte auf als DRAM.
  • 3D XPoint ist tausendmal schneller als NAND (in der Theorie).
  • Per PCI-Express-Schnittstelle liefert 3D XPoint eine rund zehnmal höhere Leistung als NAND.
  • Wären Speichertechnologien Läufer, könnte eine Festplatte in der gleichen Zeit nur ein Basketballfeld über­queren, in der ein NAND-Speicher einen Marathon läuft und 3D XPoint die Welt umrundet.

Die Haupteigenschaften 

Das Die (Siliziumplättchen) eines 3D-XPoint-Speichers. Auf dem Die befinden sich die elektrischen Schaltkreise (Transistoren) Das Die (Siliziumplättchen) eines 3D-XPoint-Speichers. Auf dem Die befinden sich die elektrischen Schaltkreise (Transistoren) Zoom
  • Kreuzstruktur
    Gekreuzt angeordnete Leiter verbinden submikros­kopische Speicherzellen.
  • Nicht flüchtig 
    3D XPoint ist nicht flüchtig. Die Informationen bleiben also auch ohne aktive Stromversorgung erhalten – wie bei NAND-Speicher.
  • Stapelbar
    3D-XPoint-Speicher ist schichtweise stapelbar. Jede weitere Schicht vervielfacht die Speichermenge.
  • Selektor
    DRAM benötigt je Speicherzelle einen Transistor. Das steigert die Kosten. Bei 3D XPoint werden Schreib- und Lesevorgänge hingegen durch die Höhe der Spannung geregelt.
  • Speicherzelle
    Jede Speicherzelle kann nur ein einzelnes Bit speichern. Bei NAND-Speicher sind es teils mehrere Bits.
  • Lange Lebensdauer 
    Laut Entwicklern wirken sich Schreibvorgänge beim 3D-XPoint-Speicher nicht signifikant aus. 

Links

Offizielle Ankündigung von Intel zu 3D XPoint:

intel.com/newsroom/3DXPoint

Tags: Intel

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