EDO-DRAM

EDO (Extended Data-Out) DRAM: Der EDO DRAM (oder Hyper PageMode DRAM) arbeitet ähnlich wie der FPM-Speicher [1] , ist aber schneller dank Änderungen des CAS (Column Address Signal) und des verlängerten Data-Outputs: Diese Chips können Datenwerte noch zum Auslesen bereit halten, während bereits die nächste Adresse angelegt wird. Das beschleunigt Lesevorgänge. Im Vergleich mit SDRAM [2] ist EDO-Speicher langsamer.