Auf DRAM folgt FCRAM

Bei der sogenannten Fast Cycle (FC)RAM-Technik wird die interne Leistung des Chips gesteigert - im Gegensatz zum Direct-Rambus-Verfahren, das die Schnittstellengeschwindigkeit zwischen Chip und Prozessor erhöht. Erste Muster der neuen Speichertechnik sollen Mitte des Jahres ausgeliefert werden. Die beiden Chip-Hersteller hatten sich Anfang Dezember zusammengeschlossen, um Speicherbausteine mit einem Gigabyte Kapazität zu entwickeln.