News 12.05.2003, 12:30 Uhr

Schnellere RAM-Bausteine

Infineon und Micron haben die Spezifikation für RLDRAM II veröffentlicht. Die neuen Speicher bringen schnellere Zugriffszeiten und höhere Speicherdichten.
[1] Bei RLDRAM II (Reduced Latency DRAM) handelt es sich um die zweite Generation von so genannten DDR-SDRAM-Bausteinen. Infineon und Micron haben nun die vollständige Spezifikation der neuen Speichermodule veröffentlicht . Zu ihren Eckdaten gehören Taktraten von bis zu 400 MHz und eine Bandbreite von 28,8 Gbit/s. Zum Vergleich: RLDRAM der ersten Generation kommt gerade Mal auf eine Bandbreite von 19,2 Gbit/s. Eingesetzt wird RLDRAM vor allem in Netzwerkumgebungen.



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