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09.02.1999, 23:00 Uhr
Auf DRAM folgt FCRAM
Fujitsu und Toshiba planen neue, zwei- bis dreimal schnellere Speicherchips als DRAM.
Bei der sogenannten Fast Cycle (FC)RAM-Technik wird die interne Leistung des Chips gesteigert - im Gegensatz zum Direct-Rambus-Verfahren, das die Schnittstellengeschwindigkeit zwischen Chip und Prozessor erhöht. Erste Muster der neuen Speichertechnik sollen Mitte des Jahres ausgeliefert werden. Die beiden Chip-Hersteller hatten sich Anfang Dezember zusammengeschlossen, um Speicherbausteine mit einem Gigabyte Kapazität zu entwickeln.
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